普赛斯功率器件静态测试解决方案

   普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级晶确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。功率半导体静态测试仪就找普赛斯仪表，详询18140663476

IGBT测试系统图

    普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够及大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

“双高”系统优势

    高电压、大电流

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(蕞大可扩展至10kV)

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

    高精度测量

    nA级漏电流, μΩ级导通电阻

    0.1%精度测量

    模块化配置

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

    测试效率高

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

    支持国标全指标的一键测试

    扩展性好

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！详询一八一四零六六三四七六；