静态特性测试挑战

随着半导体制程工艺不断提升，测试和验证也变得更加重要。通常，主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特性。静态参数特性主要是表征器件本征特性指标，与工作条件无关的相关参数，如很多功率器件的的静态直流参数(如击穿电压、漏电流、阈值电压、跨导、压降、导通内阻)等。

功率半导体器件是一种复合全控型电压驱动式器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点:同时半导体功率器件的芯片属于电力电子芯片，需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下，对芯片的可靠性要求较高，这给测试带来了一定的困难。市面上传统的测量技术或者仪器仪表一般可以覆盖器件特性的测试需求，但是宽禁带半导体器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化镓)的技术却及大扩展了高压、高速的分布区间。如何晶确表征功率器件高流/高压下的I-V曲线或其它静态特性，这就对器件的测试工具提出更为严苛的挑战。

更高精度更高产量

并联应用要求测试精度提离，确保一致性

终端市场需求量大，要求测试效率提高，UPH提升

更宽泛的测试能力
更宽的测试范围、更强的测试能力

更大的体二极管导通电压

更低的比导通电阻

提供更丰富的温度控制方式

更科学的测试方法

扫描模式对阈值电压漂移的影响

高压低噪声隔离电源的实现

高压小电流测量技术、高压线性功放的研究

低电感回路实现

柔性化测试能力

兼容多种模块封装形式

方便更换测试夹具

灵活配置，满足不同测试需求

PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计，精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一致能够提供IV，CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在权面满足从基础功率二极管、MOSFET.  BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有着越的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。

针对用户不同测试场景的使用需求，普赛斯全新推出PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静态参数全自动化测试系统三款功事器件静态参数测试系统。

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