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PECVD 系统的设计是为了降低传统化学气相沉积的反应温度。在传统化学气相沉积前面安装射频感应装置，电离反应气体，产生等离子体。等离子体的高活性是由于等离子体的高活性加速了反应的进行。这个系统叫做 PECVD。
该型号是博纳热产品，综合了大多数 PECVD 炉系统的优点，在 PECVD 炉系统前增加了预热区。试验表明，沉积速度快，膜层质量好，孔洞少，不开裂。配备AISO 全自动智能控制系统，操作方便，功能强大。
PECVD 炉的应用范围很广: 金属膜、陶瓷膜、复合膜、各种膜的连续生长。易增加功能，可扩展等离子清洗蚀刻等功能。
PECVD管式炉特点
高薄膜沉积速率: 采用射频辉光技术，大大提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达1000s.
高面积均匀性: 的多点射频送料技术、特殊气路分布、加热技术等，使薄膜均匀性指数达到8%.
高浓度: 使用设计概念的半导体产业，一个沉积基板之间的偏差小于2%.
高过程稳定性: 高度稳定的设备确保了连续和稳定的过程。
PECVD管式炉标准配件
插管4支
炉管1根
真空泵1件
真空密封法兰2套
真空计1件
气体输送和真空泵
射频等离子体设备
可选配件
快卸法兰，三通法兰
7英寸高清触摸屏
| 加热长度和恒温区长度 | 440mm, 200mm |
| 炉管尺寸 | Ф100x1650mm （炉管直径可根据实际需要定制） |
| 额定工作温度 | 1200 oC (<1小时) |
| 长期工作温度 | ≤1100℃ |
| 电压及额定功率 | 单相，220V，50Hz |
| 控温方式
| 51段可编程控温，PID参数自整定， 操作界面为10”工控电脑，内置PLC控制程序，可将温控系统、滑轨炉滑动（时间和距离）设定为程序控制。 |
| 控温精度 | ± 1 oC |
| 温度均匀度 | ± 5 oC |
| 加热速率 | ≦20 oC /分钟 |
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