高结温可控硅 T1235的应用领域：
T1235双向可控硅应用于：加热控制器、马达调速控制器、搅拌机、直发器、面包机等家用电器。
高结温可控硅 T1235的极限值(TCASE=25℃)：
断态重复峰值电压 VDRM/VRRM：600/800V
通态均方根电流 IT(RMS)：12A
通态不重复浪涌电流 ITSM：120A
I2t值：78A2s
通态电流临界上升率 dIT/dt：50Aμs
门极峰值电流 IGM：4A
门极平均功率 PG(AV)：1W
存储温度 TSTG：-40~+150℃
工作结温 Tj：-40~+125℃
高结温可控硅 T1235的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| IGT | 门极触发电流 | ≤35 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V |
| VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | |
| IH | 维持电流 | ≤35 | mA |
| IL | 擎住电流 I-III | ≤50 | |
擎住电流 II | ≤60 | ||
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥500 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | ≤1 | mA |
冀公网安备13010402003046号
