产品简介
脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）系统能发射高能脉冲(100ns) 电子束( 约1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。在靶材上的非平衡提取（烧灼）能使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在 zui 佳条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜可以保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用PED 技术沉积各自的薄膜。
产品特点
* 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统PED
* 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格
* 氧化物薄膜沉积时氧气兼容
* 升级选项：离子辅助PED, 连续组份沉积PED, 进样系统load-lock
* 可附加的沉积源：脉冲激光与射频直流溅射
* 集成XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统
脉冲电子束沉积系统PED沉积的代表性材料示例
* 高温超导(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜
* 顺电(Ba-SrTiO3) 薄膜
* 金属氧化物(SrRuO3) 薄膜
* 隔热/ 音玻璃(SiO2) 膜和Al2O3 膜
* 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜
技术指标
| 真空腔 | 18" 直径的球形腔体 8"CF 窗口 6.75"CF PED 源窗口 3 个6"CF 窗 额外的2.75" 与1.33"CF 窗口 | PED源 | 电子枪能量：8-20 keV 脉冲能量：zui 大能量800 mJ zui 小能量100 mJ 工艺气体压强: 3-20 mTorr 工艺气体: 氧气，氮气，氩气 脉冲能量变化: ±10% 脉冲宽度: 100 ns zui 大重复率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV zui 小束截面: 8 x10-2 cm2 zui 大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2 Z 向对准范围: 50 mmXY 向对准范伟: +/- 20 mm 火花塞寿命 ~3x107 脉冲 |
| 基片加热器 | zui 大直径2"，zui 小10x10mm2 zui 高温度：850 ℃ 基片旋转：1-30 RPM（360° 旋转）基片加热器：兼容1 个大气压的氧压 加热器温度通过可编程的PID 控制 | ||
| 多靶材旋转台 | 6 个1" 的靶材或3 个2" 的靶材 靶材旋转：360° 连续旋转(1-20 RPM) 靶材栅格式扫描 独特的靶材栅格化烧蚀方案 靶材索引，镀多层薄膜 靶材高度可调 靶材挡板避免靶材间的交叉污染 提供连续组成扩展/ 组合PED 的能力 | PED系统软件 | Windows 7, LabVIEW 2013 控制基片加热台 控制靶材公转台 控制真空泵 控制质量流量计 外部的PED 源触发器 可选的工艺自动化选项 |
| 真空泵 | 干泵，涡轮分子泵 本底真空压强：标准配置8 x 10-8 Torr 涡轮分子泵转速由软件控制 |
冀公网安备13010402003046号
