一、描述 

SI4N60是一种高压MOSFET，设计具有更好的特性，如快速开关时间，低栅电荷，低通态电阻和具有高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源的高速开关应用，pwm电机控制，直流到直流转换器和桥接电路。

二、特性

RDS() = 2.5Ω@VGS = 10 v

超低门电荷(平均15.0nC)

低反向传输电容(CRSS=typica8.0pF)

快速切换能力

改进的dv/dt能力，高耐用性